Транзисторы IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G

Рис. 1 Цоколевка транзисторов IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G, внешний вид и типы корпусов.
З — затвор (G — Gate), И — исток (S — Source), С — сток (D — Drain

Краткое описание:
N-канальные МОП транзисторы IPB038N12N3 G с маркировкой на корпусе 038N12N, выпускаются в корпусах типа PG-TO263-3. N-канальные МОП транзисторы IPI041N12N3 G и IPP041N12N3 имеют маркировку на корпусе 041N12N3, выпускаются в корпусах типа PG-TO262-3 и PG-TO220 соответственно.

Основные характеристики транзисторов IPB038N12N3 G, IPI041N12N3 G, IPP041N12N3 G

МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 120 В, 0.0035 Ом, 10 В, 3 В.

• Структура: N Канал
• Непрерывный ток стока: 120А
• Напряжение истока-стока Vds: 120В
• Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом
• Напряжение измерения Rds (on): 10В
• Пороговое напряжение: Vgs 3В
• Рассеиваемая мощность: 300Вт

Datasheet - транзисторы ipb038n12n, ipi041n12n3, ipp041n12n3 в формате pdf